- Sections
- C - Chimie; métallurgie
- C01B - Chimie inorganique éléments non métalliques; leurs composés
- C01B 32/188 - Préparation par croissance épitaxiale
Détention brevets de la classe C01B 32/188
Brevets de cette classe: 32
Historique des publications depuis 10 ans
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2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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North Carolina State University | 1492 |
5 |
Kwansei Gakuin Educational Foundation | 198 |
2 |
National University of Singapore | 2228 |
2 |
Research & Business Foundation Sungkyunkwan University | 1640 |
2 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
1 |
Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 14131 |
1 |
Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | 4157 |
1 |
Massachusetts Institute of Technology | 9795 |
1 |
Tsinghua University | 5426 |
1 |
Nippon Telegraph and Telephone Corporation | 14195 |
1 |
Bar-Ilan University | 405 |
1 |
Global Graphene Group, Inc. | 246 |
1 |
Korea Electronics Technology Institute | 1358 |
1 |
Mellanox Technologies Ltd. | 1097 |
1 |
North Carolina a & T State University | 20 |
1 |
SRC Corporation | 6 |
1 |
University of Exeter | 125 |
1 |
University of South Carolina | 789 |
1 |
Uniwersytet Jagiellonski | 246 |
1 |
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | 3894 |
1 |
Autres propriétaires | 5 |